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최고 주파수가 15[kHz]인 음성신호를 나이퀴스트 표본화 주파수로 표본화한 후, 256레벨로 양자화하고, 양자화 레벨을 중첩 없이 최소 비트 수로 이진 부호화하여 펄스부호변조(PCM) 신호를 생성할 때, 이 신호의 전송속도[kbps]는?

다음 블록도는 신호 를 입력받아 협대역 FM 신호를 출력하는 시스템이다. 블록 Ⓐ의 회로도로 옳은 것은?

다음 논리식과 동일한 논리식은?

다음 디지털 논리회로에서 입력이 , 이고 출력이 ​​​​​​​일 경우, 입출력 사이의 논리식이 다른 것은?

다음 증폭회로에서 을 만족하기 위해서 옳은 것은? (단, MOSFET 은 포화 영역에서 동작하고 은 MOSFET 의 전달컨덕턴스이며, 채널길이변조(channel length modulation)와 몸체효과(body effect)는 무시한다)

3단의 공통 소스(common-source) 증폭기로 이루어진 다음의 링 발진기(ring oscillator) 회로에서 발진이 일어나기 위한 발진 각주파수 [rad/s]와 의 최솟값[Ω]은? (단, , , 는 동일한 MOSFET이고, 은 MOSFET , , 의 전달 컨덕턴스이며, 채널길이변조(channel length modulation)와 몸체 효과(body effect)는 무시한다)

다음 회로에서 BJT의 전류이득()이 99일 때, 출력전압 [V]과 제너전류 [mA]는? (단, BJT의 ＝ 0.7[V]이고 제너 다이오드의 제너전압 ＝4.7[V]이다)

다음 회로에서 정현파인 입력파형()이 가해진 경우, 정상상태에서 출력파형()은? (단, 각 다이오드 양단의 순방향 전압은 1[V], [kΩ], [kΩ]이다)

다음 회로에서 전압이득 과 입력저항 [kΩ]은? (단, 연산증폭기는 이상적이다)

다음 그림 (a)의 밴드갭 레퍼런스 회로에서 BJT 의 전류－전압 곡선은 그림 (b)에 굵은 실선으로 그려져 있으며, 이 은 점 에 바이어스 되어 있다. 회로의 온도가 변화하면 의 일정한 지수 기울기를 갖는 전류－전압 곡선의 구간이 이동한다. 회로의 온도가 상승할 때, 의 일정한 지수 기울기를 갖는 구간에서의 전류－전압 곡선으로 옳은 것은?

다음 그림 (a)의 회로에서 값은 초기에 ‘0’인 논리 값에서 시작한다. 그림 (b)와 같이 클럭 ​​​​​​​와 두 개의 입력 및 가 주어질 때, 구간 T3－T4와 구간 T6－T7에서 의 논리 값은? (단, 각 논리 게이트에서 지연은 없다)

N형 MOSFET에 대한 설명으로 옳은 것은?

다음 3단 T 플립플롭으로 이루어진 논리 회로에서 입력 클럭 의 주파수가 800[MHz]일 때, 출력 신호 ​​​​​​​의 주파수[MHz]는?

다음 회로에서 입력전압 [V]이고 [s]일 때, 출력전압 의 첨두간(peak-to-peak) 전압 값[V]으로 가장 가까운 것은? (단, 연산증폭기는 이상적이며, 각 다이오드의 순방향 전압은 0.7[V]이다)

다음 증폭기 회로의 전달함수 은? (단, 은 MOSFET 의 전달컨덕턴스이며, 채널길이변조(channel length modulation)와 몸체효과(body effect)는 무시한다)

다음 회로에서 MOSFET이 포화영역에서 동작하기 위한 의 최댓값[kΩ]은? (단, MOSFET 문턱전압 ＝0.8[], 공정전달 컨덕턴스 파라미터 ＝200 [], 채널폭과 채널길이 비 이며, 채널길이변조(channel length modulation)와 몸체효과(body effect)는 무시하고 연산증폭기는 이상적이다)

다음 그림 (a)의 회로는 특성을 보이는 짧은 채널 N형 MOSFET를 포함한 공통 소스 증폭기이다. 다음 그림 (b)는 이 N형 MOSFET의 전류－전압 특성 곡선을 보인다. 이 공통 소스 증폭기가 점에서 바이어스될 때, 이 증폭기의 전압이득  은? (단, 각 , , ,  바이어스 점에서의 드레인 전류는 각각 ()＝2.0[mA], ()＝2.2[mA], ()＝7.4[mA], ()＝7.8[mA]이다)

다음 전류미러(current-mirror) 회로에서 MOSFET , , , 의 채널폭은 각각 , , , 로 주어질 때,  조건을 만족하지 않는 것은? (단, , , , 는 채널폭을 제외하고 동일한 MOSFET이며, 모든 MOSFET은 포화영역에서 동작하고 채널길이변조(channel length modulation)는 무시한다)

다음 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 과 는 동일한 MOSFET이고, 은 MOSFET 과 의 전달컨덕턴스이며, 채널길이변조(channel length modulation)와 몸체효과(body effect)는 무시한다)

다음 회로에서 전달 임피던스  의 양호도(quality factor) 는? (단, 연산증폭기는 이상적이다)